RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link