RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link