RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
104
Autour de -316% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link