RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
50
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3324
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link