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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2283
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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