RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2283
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link