RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,343.1
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
49
En -133% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
21
Velocidad de lectura, GB/s
5,135.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,343.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
843
3380
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link