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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
49
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
21
读取速度,GB/s
5,135.8
18.7
写入速度,GB/s
2,343.1
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3380
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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