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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2739
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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