RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2512
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link