RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2512
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link