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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
31
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2771
2999
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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