Comparación de la memoria RAM A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

21 22

En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.8 17.7

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.7 10.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2771 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns