RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
22
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2771
3075
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link