RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3019
3516
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Jinyu 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link