RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
3516
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link