RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2362
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link