RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2908
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link