RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link