RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link