RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2917
3409
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link