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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
56
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3519
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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