RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3519
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link