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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
56
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
48
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2196
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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