RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
56
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2196
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link