RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2337
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link