RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2619
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link