RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
52
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3075
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link