RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
52
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3075
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link