RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3866
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link