RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
2,614.5
18.2
写入速度,GB/s
1,145.9
15.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3866
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link