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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.9
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2496
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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