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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2624
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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