RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
48
En -118% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2809
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link