RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
48
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2809
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link