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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3437
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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