RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3587
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link