RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3587
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link