RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
66
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
4119
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link