RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
66
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
53
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2301
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link