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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2234
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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