RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2234
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link