RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
66
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2037
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link