RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
1433
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link