RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
1433
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link