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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
66
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2462
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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