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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
1984
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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