RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
66
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
46
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2481
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link