RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2481
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link