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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
66
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
52
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2236
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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